Número de Producto del Fabricante:
CMLDM8120G TR PBFREE
Product Overview
Fabricante:
Central Semiconductor Corp
Número de pieza:
CMLDM8120G TR PBFREE-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 860mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-563
Inventario:
12000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12791021
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ENVIAR
CMLDM8120G TR PBFREE Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Central Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
860mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
150mOhm @ 950mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
3.56 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
200 pF @ 16 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
350mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-563
Paquete / Caja
SOT-563, SOT-666
Número de producto base
CMLDM8120
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
CMLDM8120G DKR
CMLDM8120TR-DG
CMLDM8120DKR
CMLDM8120GDKR
CMLDM8120TR
CMLDM8120G TR-DG
CMLDM8120 CT-DG
CMLDM8120 DKR-DG
CMLDM8120 TR-DG
CMLDM8120G DKR-DG
1514-CMLDM8120GTRPBFREECT
CMLDM8120DKR-DG
CMLDM8120GCT
CMLDM8120GCT-DG
CMLDM8120GTR-DG
CMLDM8120 CT
CMLDM8120CT-DG
CMLDM8120 DKR
CMLDM8120 TR PBFREE
1514-CMLDM8120GTRPBFREETR
CMLDM8120GDKR-DG
CMLDM8120GTR
CMLDM8120G CT
CMLDM8120G CT-DG
CMLDM8120 TR
CMLDM8120CT
CMLDM8120G TR
1514-CMLDM8120GTRPBFREEDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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